"Будущее России - это наука и технологии, а не распродажа сырья. Из нашего института вышли уже четверо нобелевских лауреатов: Николай Семенов, Лев Ландау, Петр Капица и я. Будущее страны - не за олигархами, а за кем-то из моих учеников".
Ж.И. Алферов

Алфёров Жорес Иванович
(1930 -2019)

     Советский и российский физик, лауреат, Ленинской, двух Государственных, многих международных и национальных премий.
Академик АН СССР, затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Его исследование сыграло большую роль в развитии информатики. Автор более пятисот научных работ, трёх монографий и пятидесяти изобретений.
   Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь». Был членом правления Общества «Знание» РСФСР.
Награждён Орденами «За заслуги перед Отечеством» трёх степеней, Орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, «Знак Почёта», медалями и премиями. Имеет иностранный награды.
   За исследование полупроводниковых гетероструктур, лазерные диоды и сверхбыстрые транзисторы Ж.И. Алфёров был удостоен Нобелевской премии по физике за 2000 г.
   Учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодёжи. Первый вклад в Фонд был сделан Ж.И. Алфёровым из средств Нобелевской премии.

Алферов Ж.И., Андреев В.М., Жиляев Ю.В., Казаринов Р.Ф., Корольков В.И. Устройство для изготовления многослойных гетероструктур. А.с.390600. Заявочные материалы на изобретение. Чертеж. Описание изобретения. 1971 г.
© РГА в г. Самаре. Ф.Р-1. Оп. 385-5. Д. 491. Л. 30, 37

Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Дубровская Н.С., Коган Л.М., Ларионов В.Р., Пушный Б.В., Рассохин И.Т., Чехимова В.Е. Излучающая структура. А.с. 606477. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Чертеж. 1976 г.
© РГА в г. Самаре. Ф.Р-1. Оп. 340-5. Д. 527. Л. 10-12

Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Еремин В.К., Копьев П.С., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Твердотельный детектор ядерного излучения. Заявочные материалы на изобретение. А.с. 609373. 1976 г.
© РГА в г. Самаре. Ф.Р-1. Оп. 345-5. Д. 133. Л. 17, 25, 37

Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д., Халфин В.Б. Полупроводниковый лазер на основе гетеропереходов. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Чертеж. Акт. 1977 г.
© РГА в г. Самаре. Ф.Р-1. Оп. 388-5. Д. 298. Л. 14, 15, 25

Алфёров Ж.И., Арутюнов Е.Н., Кучинский В.И. и др. Инжекционный лазер. Заявочные материалы на изобретение. Описание изобретения. Чертёж. Обоснование важности. 1978 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 448-5. Д. 416. Л. 5, 6, 10, 15, 16

Алфёров Ж.И., Ашкинази Г.А., Золотарёвский Л.Я. и др. Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводников из жидкой фазы. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Чертежи. 1978 г.

© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 470-5. Д. 100. Л. 8, 9

Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. Солнечный фотоэлемент с гетеропереходами. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Чертёж. Обоснование важности. Акт лабораторных испытаний. 1978 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 470-5. Д. 957. Л. 11-14

Алфёров Ж.И., Конников С.Г., Корольков В.И. Оптоэлектронный элемент на основе структуры с гетеропереходом. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Чертежи. Заключение о новизне. 1981 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 531-5. Д. 379. Л. 10, 12-15

Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева. Лекция Ж.И. Алферова "Альберт Энштейн, социализм и современный мир". Фото. 27 июля 2017 г.
© СИФ РГА в г. Самаре.

Некоторые публикации Ж.И. Алферова

Алфёров Ж. И. Физика и жизнь. — СПб.: Наука, 2001.

Алфёров Ж. И. Наука и общество. СПб.: Наука, 2006.

Алфёров Ж. И. Власть без мозгов. Кому мешают академики. — М.: Алгоритм, 2013.