Как писал в своем знаменитом рассказе Олдридж, все дело в "последнем дюйме". Пока ты его не прошел, весь предыдущий путь, как бы не велик он ни был, ни о чем не свидетельствует.
(1922–2001)
Советский и российский физик, лауреат Ленинской премии и Государственной премии СССР, дважды Герой Социалистического Труда, член-корреспондент АН СССР, академик АН СССР.
С 1973-1989 гг. был директором ФИАН (Физический институт имени П.Н. Лебедева). В 1978 г. организовал и возглавил в МИФИ (Московский инженерно-физический институт) кафедру квантовой электроники.
Работы Н.Г. Басова посвящены квантовой электронике и её применениям. Вместе с А.М. Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами, что позволило в 1954 г. создать первый квантовый генератор (мазер) на пучке молекул аммиака. Эти работы (а также исследования американского физика Ч. Таунса) легли в основу нового направления в физике – квантовой электроники.
Под его руководством были созданы фторводородный и йодный лазеры, а затем эксимерный лазер. Ряд работ Н.Г. Басова посвящён вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управляемого термоядерного синтеза (1961), он предложил методы лазерного нагрева плазмы, проанализировал процессы стимулирования химических реакций лазерным излучением.
Н.Г. Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике (таких, как создание оптических логических элементов), выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.
В 1964 г. Н.Г. Басову и А.М. Прохорову совместно с Ч.ХЮ Таунсом за «фундаментальные работы в области квантовой электроники, которые привели к созданию генераторов и усилителей на лазерно-мазерном принципе», была присуждена Нобелевская премия по физике.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 313-5. Д. 1181. Л. 9, 12 ,26, 51
Лазерный луч в атмосфере. А.с. № 623336. 1974 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 501-5. Д. 1459. Л. 2-4, 7, 8
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 521-5. Д. 1785. Л. 7-10
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 334-5. Д. 1579. Л. 8, 29
Н.Г. Басов выступает на заседании Советского комитета по защите мира. 27 октября 1978 г.
© РГАКФД. Арх. № 0-356700 ч/б
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 612-5. Д. 1453. Л. 3, 4, 7, 8
V. Stefan and N. G. Basov (Editors). Semiconductor Science and Technology, Volume 1. Semiconductor Lasers. (Stefan University Press Series on Frontiers in Science and Technology) (Paperback). 1999.
V. Stefan and N. G. Basov (Editors). Semiconductor Science and Technology, Volume 2: Quantum Dots and Quantum Wells. (Stefan University Press Series on Frontiers in Science and Technology) (Paperback). 1999.
- Назад
- В начало страницы
- В начало выставки
- На главную
- Далее