Карта сайта

Как писал в своем знаменитом рассказе Олдридж, все дело в "последнем дюйме". Пока ты его не прошел, весь предыдущий путь, как бы не велик он ни был, ни о чем не свидетельствует.
 Н.Г. Басов
   Басов Николай Геннадьевич
(1922–2001)

Советский и российский физик, лауреат Ленинской премии и Государственной премии СССР, дважды Герой Социалистического Труда, член-корреспондент АН СССР, академик АН СССР.
   С 1973-1989 гг. был директором ФИАН (Физический институт имени П.Н. Лебедева). В 1978 г. организовал и возглавил в МИФИ (Московский инженерно-физический институт) кафедру квантовой электроники.
  Работы Н.Г. Басова посвящены квантовой электронике и её применениям. Вместе с А.М. Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами, что позволило в 1954 г. создать первый квантовый генератор (мазер) на пучке молекул аммиака. Эти работы (а также исследования американского физика Ч. Таунса) легли в основу нового направления в физике – квантовой электроники.
  Под его руководством были созданы фторводородный и йодный лазеры, а затем эксимерный лазер. Ряд работ Н.Г. Басова посвящён вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управляемого термоядерного синтеза (1961), он предложил методы лазерного нагрева плазмы, проанализировал процессы стимулирования химических реакций лазерным излучением.
  Н.Г. Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике (таких, как создание оптических логических элементов), выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.

В 1964 г. Н.Г. Басову и А.М. Прохорову совместно с Ч.ХЮ Таунсом за «фундаментальные работы в области квантовой электроники, которые привели к созданию генераторов и усилителей на лазерно-мазерном принципе», была присуждена Нобелевская премия по физике.

Басов Н.Г.,  Ораевский А.Н. Химический лазер. Заявочные материалы на изобретение. Формула изобретения. Отзыв и ответ на решение Комитета по заявке № 1152321/26-25 на химический лазер.  Решение. 1967 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 313-5. Д. 1181. Л. 9, 12 ,26, 51
Басов Н.Г., Бережной И.А. и др. Способ посадки. Заявочные материалы на изобретение. Описание изобретения. Формула изобретения.  Распространение лазерного излучения в атмосфере.
Лазерный луч в атмосфере. А.с. № 623336.
1974 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 497-5. Д. 1592. Л. 2, 3, 8, 25, 26
Басов Н.Г., Бережной И.А. и др. Магнитогазодинамический лазер. Заявочные материалы на изобретение. А.с. № 576870. Описание изобретения. Формула изобретения. Чертёж. 1974 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 501-5. Д. 1459. Л. 2-4, 7, 8
Басов Н.Г., Бережной И.А. и др. Система посадки самолёта. Заявочные материалы на изобретение. А.с. № 516247. Формула изобретения. Чертёж. Заключение о новизне. 1975 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 521-5. Д. 1785. Л. 7-10
 
Басов Н.Г.  и др. Электроионизационный проточный лазер. Заявочные материалы на изобретение. Описание изобретения к авторскому свидетельству на изобретение. 1976 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 334-5. Д. 1579. Л. 8, 29
Герой Социалистического Труда, лауреат Нобелевской премии, академик
Н.Г. Басов выступает на заседании Советского комитета по защите мира. 27 октября 1978 г.
 © РГАКФД. Арх. № 0-356700 ч/б
Басов Н.Г., Белоусов Н.И. и др. Камера инерциального термоядерного реактора со струйной защитой стенок. Заявочные материалы на изобретение. Описание изобретение. Формула изобретения. Чертёж. 1987 г.
© РГА в г. Самаре. Ф. Р-1. Оп. 612-5. Д. 1453. Л. 3, 4, 7, 8
Некоторые публикации Н.Г. Басова
 
Н.Г. Басов. О квантовой электронике. Главная редакция физико-математической литературы издательства "Наука". 1987.
 
N. G. Basov, K. A. Brueckner (Editor-in-Chief), S. W. Haan, C. Yamanaka. Inertial Confinement Fusion, 1992.

V. Stefan and N. G. Basov (Editors). Semiconductor Science and Technology, Volume 1. Semiconductor Lasers. (Stefan University Press Series on Frontiers in Science and Technology) (Paperback). 1999.

V. Stefan and N. G. Basov (Editors). Semiconductor Science and Technology, Volume 2: Quantum Dots and Quantum Wells. (Stefan University Press Series on Frontiers in Science and Technology) (Paperback). 1999.